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廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
所在地:上海市
更新時(shí)間:2024-06-10
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
品牌 | Siemens/西門(mén)子 | 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 |
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加工定制 | 是 |
西門(mén)子840D系統2100 NCK電池到達極限;西門(mén)子數控系統維修就找上海恒稅電氣,專(zhuān)業(yè)的西門(mén)子數控系統維修專(zhuān)家,10年以上數控系統維修經(jīng)驗,對于數控系統出現的大小故障均可輕松解決,一般故障當天即可修好,恒稅電氣公司配件齊全,還有專(zhuān)門(mén)的數控系統檢測設備及模擬測試平臺,修復好后裝上設備即可投入使用,不影響企業(yè)生產(chǎn)任務(wù)。
西門(mén)子840D系統2100 NCK電池到達極限分析;如果電池更換完,還是報警,這內屬于硬件故障,西門(mén)子數控系統SINUMERIK發(fā)展了很多代。目前在廣泛使用的主要有802、810、840、828等幾種系列類(lèi)型。目前國內市場(chǎng)上,漸漸的更多使用840D、828D系統。NCU做為數控機床系統的重要組成單元,其中也集成 SINUMERIK 840D 數控 CPU 和 SIMATIC PLC CPU 芯片,包括相應的數控軟件和 PLC 控制軟件,并且帶有 MPI 或 Profibus 接口,RS232 接口,手輪及測量接口,PCMCIA 卡插槽等。根據選用硬件如CPU芯片等和功能配置的不同,NCU分為NCU561.2,NCU571.2,NCU572.2,NCU573.2(12軸),NCU573.2(31軸)等若干種,正常狀態(tài)為數碼管顯示“6”和兩個(gè)綠燈亮。常出現的故障為上電之后數碼管無(wú)顯示,數碼管顯示“1”,數碼管顯示“3”,數碼管顯示“8”,數碼管走“106”和“109”等。
數控系統維修中應注意的事項
(1)從數控機床整機上取出某塊線(xiàn)路板時(shí),應注意記錄其相對應的位置,連接的電纜號,對于固定安裝的線(xiàn)路板,還應按前后取下相應的壓接部件及螺釘作記錄。拆卸下的壓件及螺釘應放在專(zhuān)門(mén)的盒內,以免丟失,裝配后,盒內的東西應全部用上,否則裝配不完整。
(2)電烙鐵應放在順手的前方,遠離維修線(xiàn)路板。烙鐵頭應作適當的修整,以適應集成電路的焊接,并避免焊接時(shí)碰傷別的元器件。
(3)測量線(xiàn)路間的阻值時(shí),應斷電源,測阻值時(shí)應紅黑表筆互換測量?jì)纱?,以阻值大的為參考值?br />(4)線(xiàn)路板上大多刷有阻焊膜,因此測量時(shí)應找到相應的焊點(diǎn)作為測試點(diǎn),不要鏟除焊膜,有的板子全部刷有絕緣層,則只有在焊點(diǎn)處用刀片刮開(kāi)絕緣層。
(5)不應隨意切斷印刷線(xiàn)路。有的維修人員具有一定的維修經(jīng)驗,習慣斷線(xiàn)檢查,但數控設備上的線(xiàn)路板大多是雙面金屬孔板或多層孔化板,印刷線(xiàn)路細而密,一旦切斷不易焊接,且切線(xiàn)時(shí)易切斷相鄰的線(xiàn),再則有的點(diǎn),在切斷某一根線(xiàn)時(shí),并不能使其和線(xiàn)路脫離,需要同時(shí)切斷幾根線(xiàn)才行。
附于漏注入區上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅動(dòng)方法和MOSFET基本相同。只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后。從P基極注入到N一層的空穴(少子),對N一層進(jìn)行電導調制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅動(dòng)端子部分,當必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動(dòng)端子時(shí),在配線(xiàn)未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時(shí)雖然保證了柵極驅動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓,但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合。